瞬态抑制二极管，个头虽然不大，但是在电源路线中的作用却不容忽视。目前，市场上从事TVS瞬态抑制二极管的供应商不计其数，东沃电子是其一。在瞬态电压抑制TVS二极管研发、生产方面，东沃电子是专业、认真的，相关专利为东沃锦上添花。
一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构
专 利 号：CN206558507U
专利类型：实用新型
详情介绍：本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：包括N+结构层、N?结构层、P结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层。所述芯片N+结构层正面设置为N?结构层，N?结构层正面设置为P?结构层，P?结构层正面设置为P+结构层；台面附近区域设置辅助沟槽结构，辅助沟槽结构的表面覆盖有玻璃保护层。金属面层包括上金属面层和下金属面层。P+结构层正面设置上金属面层，N+结构层背面设置下金属面层。本实用新型结构得益的效果：当外加最高反向电压时，N型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。

一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片和制造方法
专 利 号：CN107346790A
专利类型：发明公布
详情介绍：本发明公开了一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片及制造方法，其特征在于：芯片台面附近区域设计的辅助沟槽结构，当外加最高反向电压时，N型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。增加P型区耗尽层结构，改变了P型扩散区的浓度结构曲线，利用P型扩散区耗尽层宽度的附加耐压，将器件的最高反向耐压值提高到800伏特以上；增加了N+区宽度；增宽了高导电率区域，增强了N+区对N基区发射电子的能力，芯片的正向峰值压降降低到1.22V及以下。

学习了，谢谢分享，讲解的很详细

手机USB的TVS管坏了会不会充不进电？

TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件，一种新型高效能的过电压保护元件。凭借PS级响应速度、大瞬态功率、低漏电流和电容、箝位电压易控制、击穿电压偏差小、可靠性高、小体积、安装方便等优势，广泛应用于敏感电子零件过压保护中。TVS二极管种类繁多，瞬态功率可达200W-30000W；工作电压范围3.3V-600V，甚至更高；封装多样，有贴片和直插之分：
• DO-218AB封装：SM5S系列、SM6S系列、SM8S系列、SM8T系列；
• SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列、P4SMA系列、TPSMAJ系列、SMA6J系列、TPSMA系列、SACA系列；
• SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列、P6SMB系列、TPSMBJ系列、SMB10J系列、SACB系列、1.0SMB系列、TPSMB系列；
• SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列、SMCJ系列、TPSMCJ系列、SMDJ系列、TPSMDJ系列、5.0SMDJ系列、TP5.0SMDJ系列、TPSMC系列；
• SOD-123封装：SMF系列、TPSMF系列、SMF4L系列、SMF3.3A；
• DO-41封装：P4KE系列；
• DO-15封装：SA系列、P6KE系列、SAC系列；
• DO-201封装：1.5KE系列、LCE系列；
• R-6/P600封装：3KP系列、5KP系列、LDP系列、8KP系列、15KP系列、20KP系列、30KP系列；
• NA封装：KA系列；