现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的最佳工艺。
由于193nm沉浸式工艺的延伸性非常强，同时EUV技术耗资巨大进展缓慢。
EUV（极紫外线光刻技术）是下一代光刻技术（<32nm节点的光刻技术）。它是采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。
EUV光刻的基本设备方面仍需开展大量开发工作以达到适于量产的成熟水平。当前存在以下挑战：
（1）开发功率足够高的光源并使系统具有足够的透射率，以实现并保持高吞吐量。
（2）掩模技术的成熟，包括以足够的平面度和良率制造反射掩模衬底，反射掩模的光化学检测，以及因缺少掩模表面的保护膜而难以满足无缺陷操作要求。
（3）开发高灵敏度且具有低线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻胶。
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