D13538067573 咨询微WV9801
名称：60V50A扬效应管N沟道MOS-AH50N06D
型号：AH50N06D
特征：
60V/50A
RDS（ON）=18米Ω@ VGS=10V
提供无铅环保设备
60V50A扬效应管N沟道MOS-AH50N06D应用在：负荷开关
绝对最大额定值（TA=25°C，除非另有说明）
VDSS漏极至源极电压60 V
VGSS门到源电压±20 V
ID连续漏电流TC=25°C- 60 A
TC=100°C -50 A
IDP脉冲漏极电流TC=25°C -250 A
雪崩电流15
EAS雪崩能量L=0.5mH -120 mJ
PD最大功耗TC=25°C -62 W
TC=100°C 25
TJ、TSTG接头和存储温度范围-55~150°C
名称：60V50A扬效应管N沟道MOS-AH50N06D
型号：AH50N06D
特征：
60V/50A
RDS（ON）=18米Ω@ VGS=10V
提供无铅环保设备
60V50A扬效应管N沟道MOS-AH50N06D应用在：负荷开关
绝对最大额定值（TA=25°C，除非另有说明）
VDSS漏极至源极电压60 V
VGSS门到源电压±20 V
ID连续漏电流TC=25°C- 60 A
TC=100°C -50 A
IDP脉冲漏极电流TC=25°C -250 A
雪崩电流15
EAS雪崩能量L=0.5mH -120 mJ
PD最大功耗TC=25°C -62 W
TC=100°C 25
TJ、TSTG接头和存储温度范围-55~150°C
