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半导体IGBT动态参数测试仪

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MOSFET/IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。
EN-1230A分立器件动态参数测试系统,是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统,额定测试电流不超过200A,测试电压不超过1200V。测试系统兼容多种规格器件的测试,可对TO220、TO247(3L)、T0247(4L)、TO263(2L)、TO263(7L)、T0252、DFN5×6、DFN8×8、DFN3.3×3.3、SOT23、SOP8、TOLL等封装进行测试。
该测试系统具有如下特点:
该测试系统是一套集常规动态参数为一体的综合测试系统;
该测试系统完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行动测试;
该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
测试治具更换简易、测试效率高。
该测试系统主要由以下部分组成:
l 开关特性与反向恢复参数测试单元
l 栅极电荷测试单元
l 结电容测试单元/
l 短路测试单元
l PLC控制系统
l 计算机控制
环境要求
A. 环境温度:15~40℃
B. 相对湿度:小于70%
C. 大气压力:86Kpa~106Kpa
D. 电网电压:AC220V±10%无严重谐波
E. 电网频率:50Hz±1Hz
F. 压缩空气:0.6~0.8Mpa
测试系统技术指标开关时间
电源电压VGE/VDS:5V~1200V,分辨率1V
电流ID/IC:1A~200A,分辨率1A
栅极电压:±30V,分辨率0.1V
感性负载:0.01mH~10mH程序控制,步进10 µH
阻性负载:1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω可选
栅极电荷Qg
栅极驱动电流IG:0~2mA,分辨率0.01 mA
2-20mA ,分辨率0.1 mA
恒流源负载:1~25A,分辨率0.1A
25~200A,分辨率1A
反向恢复
正向电流IF:1~25A,分辨率0.1 A
25-200A ,分辨率1 A
反向电压VR:5~100V,分辨率0.1V
100~1200V,分辨率1V
反向恢复时间:10ns~2μs,分辨率1 ns
反向di/dt:1~10kA/μs
反向dv/dt:1~10kV/μs
反向恢复电荷范围:1nC~100Μc,分辨率1nC
反偏安全工作区
测试电流:2*IDnom(ICnom)
短路安全工作区
一次短路电流:1000A
脉冲宽度:5μs~50μs,步进1μs
结电容
电容测试扫频范围:0.1~1MHz
漏源极电压:100V,分辨率1V
栅极偏置电压:0V
栅极内阻
栅极内阻测试范围:0.1~50Ω,分辨率0.1Ω
漏极偏置电压:0~100V
栅极偏置电压:0V
符号说明
本文中出现的符号缩写说明如下表所示:
表1 开关特性参数
参数名称 符号 参数名称 符号
开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)
上升时间 tr 下降时间 tr
开通时间 ton 关断时间 tdoff
开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff
开通电流变化率 di/dt 关断电压变化率 dv/dt
表2 反向恢复特性参数
参数名称 符号 参数名称 符号
反向恢复电流 IRM 反向恢复电荷 Qrr
反向恢复时间 Trr 反向恢复电流变化率 -dF/dt
表3 栅极电荷特性参数
参数名称 符号 参数名称 符号
栅极电荷 QG 平台电压 Vpl
输入电荷 Qgs 平台电荷 Qgd
表4 短路特性参数
参数名称 符号 参数名称 符号
一次短路电流 Isc 脉冲宽度 tp
表5 结电容与栅极内阻特性参数
参数名称 符号 参数名称 符号
输入电容 Cies 输出电容 Coes
反向传输电容 Cres 测试频率 f
栅极内阻 rg
联系易恩电气 152 4920 2572


1楼2022-02-12 09:36回复