单晶硅的杨氏模量为 169 GPa，泊松比为 0.28。杨氏模量是材料的刚度指标，泊松比则是描述材料在受力时的形变性质。作为一种重要的半导体材料，单晶硅的这些物理特性对其在电子学、太阳能电池和微机电系统等领域的应用起着至关重要的作用。