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PRISEMI芯导第三代半导体产品—氮化镓器件 GaN HEMT 由授权一级

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PRISEMI芯导第三代半导体产品—氮化镓器件 GaN HEMT 由授权一级代理
PRISEMI芯导第三代半导体产品—氮化镓器件 GaN HEMT由授权一级代理商进行推广
氮化镓器件 GaN HEMT
Prisemi开发了P-GaN E-mode系列产品,该系列产品具有Qg小、开关速度快等特点。除此之外,使用的DFN5060、DFN8080等贴片封装适合产品小型化应用,例如30W以上的PD快充。与此同时,还开发了Cascode E-mode系列产品,该系列产品具有高栅极可靠性的特征,在封装上与超结MOS做到Pin-to-Pin,且各项参数优于超结MOS,具有较强替代性。
第三代半导体产品—氮化镓器件 GaN HEMT
PartNumber VDS(V) VGS(±V) ID(A) RDS(ON)(mΩ)/Typ10V RDS(ON)(mΩ)/Typ6V VGS(th) _Typ.(V) Package
PGC8FN70R160A 700 20 16 160 - 1.7 DFN8080-8L
PGC8FN70R110A 700 20 20 110 - 4 DFN8080-8L
PGCDP65R900A 650 20 3.6 900 - 4 TO-252
PGCDP65R600A 650 20 4.8 600 - 4 TO-252
PGCTOF65R600A 650 20 4.8 600 - 4 TO-220F
PGC8FN65R110A 650 20 20 110 - 4 DFN8080-8L
PGC8FN65R160A 650 20 16 160 - 1.7 DFN8080-8L
PGC8FN65R270A 650 20 7.9 270 - 1.7 DFN8080-8L
PGCDP65R270A 650 20 7.9 270 - 4 TO-252
PGCDPD65R600A 650 20 4.8 600 - 4 TO-252
PGCTO65R110A 650 20 20 110 - 1.9 TO-220
PGCTOF65R160A 650 20 16 160 - 4 TO-220F
PGCTOF65R270A 650 20 7.9 270 - 4 TO-220F
PGH8FN65R160A 650 -10~+7 13 - 160 2.5 DFN8080-8L
PGH8N65R160A 650 -10~+7 11 - 160 2.5 DFN5060-8L
PGH8N65R300A 650 -10~+7 8 - 300 2.5 DFN5060-8L


IP属地:广东1楼2024-07-08 13:23回复