如题，在拼多多上看到一套整机，但这个固态和内存之前都没听说过，是不是杂牌啊

在设计电路时，如果现有的共模电感不能满足需求，就需要进行产品定制，以确保共模电感满足电路的抗电磁干扰及结构布局等需求。 导读 在设计电路时，如果现有的共模电感不能满足需求，就需要进行产品定制，以确保共模电感满足电路的抗电磁干扰及结构布局等需求。而定制共模电感时需要结合实际应用场景、性能参数需求等选择合适的材料与产品结构。对于选型工程师来说，明确自己的需求很关键。 01 共模电感的定义 首先我们先弄清楚什么

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 / 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相

京瓷开发了“6892系列”连接器，满足车载信息娱乐系统 (IVI) 、车载摄像头、雷达等设备更多市场需求，不仅可以在振动、高温等恶劣环境下工作，还支持高速传输。 京瓷推出 “6892系列”连接器 产品概述 京瓷开发了“6892系列”连接器，满足车载信息娱乐系统 (IVI) 、车载摄像头、雷达等设备更多市场需求，不仅可以在振动、高温等恶劣环境下工作，还支持高速传输。 开发背景 汽车中电子设备化逐年发展，自动辅助驾驶系统（ADAS）和车联网汽车等

京瓷推出了适用于工业或家用燃气暖气、燃气热水器、燃气烤炉的230V标准型SN（Silicon Nitride/氮化硅）点火器。 氮化硅加热器 技术创新点亮未来 京瓷株式会社（以下简称京瓷）推出了适用于工业或家用燃气暖气、燃气热水器、燃气烤炉的230V标准型SN（Silicon Nitride/氮化硅）点火器。该产品采用氮化硅材料，具有高可靠性以及快速升温点火的特点。 氮化硅点火器是将加热电阻材料封装在陶瓷材料之中，电阻器将电能转换为热能高温，作为燃气设备的点

京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。 多年来，京瓷一直使用氮化硅材料开发、生产用于柴油发动机启动预热的预热塞。我们将在汽车零部件领域所积累的高可靠性技术应用到FTIR光源的研发，成功开发出具有优异性能、红外辐射强度高的SN光源，以实现更精确的物质识别。此外，京瓷的SN材料拥有优异的耐用可靠性，可以降低设备故障率，减少维护时间。 ※FTIR即傅立叶变换红外光谱仪（

Kyocera CX系列薄型表面贴装晶振具有更高的频率、负载电容选项和双引脚版本。这些晶振的尺寸范围是2.0mm x 1.6mm至5.0mm x 3.2mm，负载电容为8pF~12pF。CX晶振的频率范围是9.843MHz~50MHz。这些晶振采用带无铅端子的陶瓷封装，符合AEC-Q200标准，额定温度为-40°C~+150°C。Kyocera CX系列晶振提供2针 (CX3225GA) 和4针（CX3225CA、 CX3225SA和CX5032SA）配置，其应用包括汽车控制系统和汽车安全、工业控制和安全、ECU、TPMS（胎压监测系统）和高速汽车网络。 特性： 消费品用晶振

Kyocera K系列表面贴装时钟振荡器具有CMOS输出，以及1.5MHz至80MHz的频率范围。该系列振荡器采用简化结构、通用尺寸前端以及支持2016到7050尺寸的可变基底基板，可减少设计周期。此外，还提供有优化的低相位噪声版本。 特性： 1.5~80MHz频率范围 CMOS输出 1.6~3.63V宽电源范围 改进老化性能 多种电压支持/低电流消耗 改进了相位噪声 适合所有尺寸/已实现的通用产品线的集成材料 应用： 消费电子/网络/工业/音频编解码器/娱乐 Kyocera K系列时钟振荡器图片制造

请问主板上的是什么开关？

想问一下1.滤波器滤除的信号是不是都是正弦波(因为信号都能展开成正弦波) 2.为什么有时候设计出来的滤波器会有以下图的情况

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 / 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相

随着汽车行业变革转型，智能汽车不仅可以提高驾驶安全和效率，还能为用户提供舒适和个性化出行体验。 随着汽车行业变革转型，智能汽车不仅可以提高驾驶安全和效率，还能为用户提供舒适和个性化出行体验。成为我国汽车产业转型升级的重要方向和国际竞争的焦点领域。随着车载数据量的爆发式增长，车内数据已经对更高速、高频、高稳健性、高兼容性的连接提出要求。智能网联、自动驾驶和数字座舱是智能汽车的关键应用领域，而对应的万

显卡2070s(二手)，610主板，12400f ，16g单根，500w供电组了两年多，近一年来经常用着显示器突然无信号，显卡风扇狂转，音响还在播放声音，试过换显卡，换更大的电源（电源牵出来的线也换过），拔插内存，问题还是没有得到，请问这是什么原因

辛苦兄弟们帮忙看看是不是磁盘的原因，或者提示一下是不是其他硬件的原因，谢谢兄弟们

就是这个microUSB的引脚和焊盘是怎么对应的啊？我看不太懂。麻烦各位帮忙解答

我一直没想明白，在一个220转12v的反激电路中，可以实现12v的输出没问题，但是，是怎么确定电流的呢？我看到有12v2.5A的，也有12V1A的？而且真正电路中占空比是会变的，到底是怎么确定攻率和电流的呢？

电脑开机不了，主板红黄灯一直亮着，但是有时又能开机成功几率大概百分之三十左右。

电机控制方案 , 英飞凌电机控制正在经历革命性的变革，而英飞凌电机控制方案正领航可持续发展之路，引领高效新时代。。。 电机控制正在经历革命性的变革，而英飞凌电机控制方案正领航可持续发展之路，引领高效新时代。在面对日益受重视的“脱碳”、“减排”问题时，电机控制系统应用不断朝着高效化、高频化、小型化、智能化发展。BLDC/PMSM/SRM电机将持续替换有刷电机，市场占有率将进一步提升。 作为一家关心地球的企业，英飞凌致力于

兆易创新 , GigaDevice11月12日，兆易创新GigaDevice 在上海举办了以“勇跃•芯征程”为主题的新品发布会，来自工业和数字能源等领域的行业伙伴齐聚一堂，共襄盛举。 11月12日，兆易创新GigaDevice (股票代码 603986)在上海举办了以“勇跃•芯征程”为主题的新品发布会，来自工业和数字能源等领域的行业伙伴齐聚一堂，共襄盛举。本次发布会中，兆易创新展现了其在工业自动化、数字能源等领域的最新成果，不仅重磅揭幕了两款MCU新品——EtherCAT®从站控

SiC肖特基势垒二极管 , ROHM采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。

第三个输出端可调输出电压最大只能到6v，可我可我前面降压明明降到12v，请问这是怎么回事

为什么我的5600g独显几乎不动，1030每次打cs都爆满，核显的占用率一直是0怎么办大佬们 配置如下： cpu：5600g 主板：a520m k华硕 硬盘：nv3500 内存：银爵3600 8g*2 GPU：gt 1030

低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD ROHM 场截止沟槽 IGBT 是节能、高效的 IGBT，广泛应用于高压和大电流应用。这些 IGBT 具有低集电极和发射极饱和电压、耐久的短路以及内置非常快速和软恢复的 FRD。场截止沟槽 IGBT 非常适合 UPS、电源调节器、焊机和工业用通用逆变器。650V IGBT 适合用于通用逆变器和转换器中的电源转换，适用于消费电器，如交流电、感应加热器、工业设备（包括电源调节器、焊接机和 UPS）。 特性： 低集电极-

低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中 SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。罗姆已发布的第3代SiC SBD的SC

承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD） RGA80TRX2EHR是一款IGBT（绝缘栅双极晶体管），以其低开关损耗和低导通损耗为显著特点。该器件特别适用于汽车电子压缩机、高压加热器以及工业应用中的逆变器。其关键性能包括能够承受10us的短路时间，具备低集电极-发射极饱和电压，以及内置了超快速且软恢复的快速恢复二极管（FRD）。这些特性使得RGA80TRX2EHR成为汽车电子和工业应用中的理想选择。 特性： VCES=1200V,Ic=69A 短

专为汽车，移动通信和办公自动化（OA）/视听（AV）应用而设计,具有出色的环境特性 NDK NX3225SA晶体单元专为汽车，移动通信和办公自动化（OA）/视听（AV）应用而设计。 这些晶体单元具有出色的环境特性，包括汽车应用的热，振动和抗冲击性。 移动通信和OA / AV变体是蓝牙，Wi-Fi，智能手机和平板电脑的理想选择。 NX3225SA晶体单元采用紧凑而薄的3.2mm x 2.5mm x 0.55mm封装。 特性： l 优异的环境特性，包括抗冲击和耐热性 l 紧凑轻薄的3.2mm x 2.5mm x 0.55mm封装

、、 具有优良的耐环境特性，办公自动化、家电相关电器领域及Bluetooth、Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性 NX2016SA系列晶体谐振器，体积小（2.0×1.6×0.45mm），具有优良的耐环境特性，如耐热性、耐冲击性。在办公自动化、家电相关电器领域及Bluetooth、Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性。 特性： 频率范围：16~80MHz 尺寸大小：2.0*1.6*0.45mm 频率偏差：±10ppm 负载电容：8pF 储存温度：-40℃~85℃ 应用： 办公自动化、家

大佬们，非科班专科学pcb layout能找工作不？ 嵌入式和硬件我是不用想了，想转行学layout，不知道工作好不好找，岗位多不多，主要是看到别人说layout是硬件的活，很少公司会单独设layout这个岗位。

现在是3600，想升级成5600。是更新个bios之后安上就好使嘛？b站搜了一下，有不少人更新bios之后还是点不亮，需要调试什么什么东西的，我是个纯小白看的挺害怕的。请问大佬们，b450m迫击炮上5600操作容易嘛

如题

蓝屏重启就成这样了

有没有大佬知道如下表现的原因：在游戏里面挂着不操作，过10来分钟的样子，cpu占用率会爆增，然后帧数直接成PPT，但是你动一下鼠标后立马恢复正常。如果一直在操作，不挂机则没有这种情况。

测试坏道 ，前面百分之80的区域基本都是优秀 ，到后面 良好率高的吓人，这硬盘有问题吗

之前的台式机，不论用什么有线耳机都有电流麦，后来买了蓝牙耳机，但始终用不习惯，一直以为是之前电脑主板的问题。现在换了一台新的台式机，换了新的有线耳机，还是有电流麦，而且耳机里面一直有低频的声音，也买了很多转接器都不行，真心求教。

我们课题在做大模型自动化压缩，有点像GPTQ团队的进化算法指导压缩，目的是在端侧芯片部署大模型，但是我们组没有了解边缘侧硬件技术的人，想向吧友请教一下 目前预采购NVIDIA jetson和香橙派ai pro，想请教一下是否有别的选择呢？如果我们希望部署到面积更小的电路上是否有可选的硬件？

想配个外接显示屏，求求大佬推荐，500—1k皆可，主玩fps，会接触3a

差分晶振顾名思义，就是输出是差分信号的晶振。 什么是差分晶振 差分晶振顾名思义，就是输出是差分信号的晶振。它通过使用2种相位彼此完全相反的信号，从而消除了共模噪声，从而实现一个更高性能的系统。 差分晶振的优势 1、抗干扰能力强。 2、对参考电平（地平面或电源平面）完整性要求较弱。 3、抑制串扰、EMI能力强。 4、功耗小、速率高、不受温度、电压波动的影响。 差分输出与单端输出的差别 所有电路中都需要一个完整的电流回路才

峰峰值分辨率是指无闪烁位数，计算方法与有效分辨率不同。因此，要了解器件对于一项应用的真正性能，必须确定所规定的是峰峰值分辨率还是有效分辨率。 低带宽、高分辨率ADC的有效位数计算方法因公司而异，而器件的有效位数受噪声限制。有些公司规定使用有效分辨率来表示有效位数，ADI则规定使用峰峰值分辨率。峰峰值分辨率是指无闪烁位数，计算方法与有效分辨率不同。因此，要了解器件对于一项应用的真正性能，必须确定所规定的是峰

SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里 低电感电机 低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用 在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来 维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无 法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的 机会。 高速电机 由于拥有高基波频率，这些电机也需要

电路中连接的设备也日益增多，因此保护更广泛系统中每个设备免受ESD的影响就变得更加重要。 随着信号传输速度的提高和供电电压的降低，集成电路对瞬态ESD更加敏感。电路中连接的设备也日益增多，因此保护更广泛系统中每个设备免受ESD的影响就变得更加重要。那么，为ESD保护选择正确的元件时需要考虑哪些因素？ 随着物联网 (IoT) 不断扩展，分析师预测未来几年将有多达数十亿的电子设备上线。通用电子设备总数甚至更高。这些设备中有许多

Nexperia（安世半导体）近日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化，以消除不良的过冲和噪声行为，这在齐纳技术领域是重大进步。 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化，以消除不良的过冲和噪声行为，这在齐纳技术领域是重大进步。 首先，新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用

Nexperia超快整流器采用紧凑型热效率封装，具有快速开关性能和软恢复功能。它占地面积小，非常适合电路板空间有限的便携式和汽车应用。 Nexperia超快整流器采用紧凑型热效率封装，具有快速开关性能和软恢复功能。它占地面积小，非常适合电路板空间有限的便携式和汽车应用。该器件外形小巧，非常适合作为DC/DC转换器中的反向极性保护或续流二极管，具备空间和性能优势。封装选项包括汽车级合格铜夹片CFP封装以及标准SMD和无引脚DFN封装。 性能

承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD） RGA80TRX2EHR是一款IGBT（绝缘栅双极晶体管），以其低开关损耗和低导通损耗为显著特点。该器件特别适用于汽车电子压缩机、高压加热器以及工业应用中的逆变器。其关键性能包括能够承受10us的短路时间，具备低集电极-发射极饱和电压，以及内置了超快速且软恢复的快速恢复二极管（FRD）。这些特性使得RGA80TRX2EHR成为汽车电子和工业应用中的理想选择。 特性： VCES=1200V,Ic=69A 短

低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中 SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。罗姆已发布的第3代SiC SBD的SC