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LB1838M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机，相机和其他便携式设备。

NC7SZ08P5X是一款双输入与门集成电路芯片，由ON Semiconductor（安森美半导体）生产，它采用了单电源供电设计，具有小尺寸、低功耗和高速度的特点。代理销售ON安森美半导体旗下电子元器件供应商-中芯巨能将为大家提供NC7SZ08P5引脚详解、电路图和封装图。 一、NC7SZ08P5引脚详解 NC7SZ08P5X是一款双输入与门集成电路芯片，共有5个引脚。以下是它的引脚分配详解： 1. A输入引脚（Pin 1）：A输入引脚是NC7SZ08P5X的第一个输入引脚，用于输入A信号。这个引脚通常

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微碧半导体荣幸邀请您参加2023慕尼黑华南电子展，共探MOS管未来 在电子科技日新月异的今天，我们身边的各种智能设备和电子产品正不断演化，为了满足这个日益发展的市场，各种高性能和可靠性的电子元件变得至关重要。而在电子领域的重要元素之一，就是 MOS 管（MOSFET）——这种能够实现电子开关和放大功能的半导体器件。微碧半导体（VBsemi）自 2003 年创立以来，一直致力于 MOSFET 晶园开发设计、封装测试、销售服务和技术支持，成为国内外电子

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在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。MOS 管封装不仅起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可以为芯片提供电气连接和隔离，从而将管器件与其他元件构成完整的电路。为了更好地应用 MOS 管，设计者们研发了许多不同类型的封装，以适应不同的电路板安装和性能需求。 下面，我们将向您介绍常见的七种 MOS 管封装类型：DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP 和 QFP，并探讨它们的应用情况、优点和缺点，让你更加深入地了解 MOS

近年来，随着智能家居、物联网、电动汽车等产业的迅速发展，半导体行业迎来了前所未有的机遇。作为其中的重要组成部分，中低压 MOS 管市场需求不断增长，市场前景十分广阔。 根据市场调查数据显示，目前中低压 MOS 管市场主要分布在消费电子、工业控制、汽车电子、通信等领域。其中，消费电子市场占比最大，达到 40% 以上。随着人们对环保、节能、智能化等要求的提高，中低压 MOS 管在这些领域的应用也将逐步扩大。 首先，我们需要了解一

本文将介绍大容量充放电管理模块 MOSFET 的选型及应用，帮助读者更好地理解和掌握这一技术。 一、大容量充放电管理模块 MOSFET 的原理 大容量充放电管理模块 MOSFET，即电池充放电保护电路模块（protection circuit module，PCM），是锂离子电池包中负责管理和保护电芯充放电的关键元件。它主要由控制电路、功率管以及其他电子元件组成，通过对电芯的充、放电进行管理，实现高效、安全的能源管理。 在锂离子电池包内部，电芯和输出负载之间需要串联功

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MOS管工作原理 MOS 晶体管的工作状态主要可以分为四个：开通过程、导通状态、关断过程和截止状态。 在开通过程中，MOS 晶体管从截止状态转变为导通状态，这个过程中会产生开关损耗。在导通状态下，MOS 晶体管可以正常工作，这个状态下的损耗主要是导通损耗。在关断过程中，MOS 晶体管从导通状态转变为截止状态，这个过程中也会产生开关损耗。在截止状态下，MOS 晶体管不导电，只有极小的漏电流，这个状态下的损耗主要是截止损耗。 一般来说

“为什么 DC-DC 上管用 NMOS？”这个话题，对于我们电子工程师来说，可谓是老生常谈了。那么，今天我们就简单来讲讲，为什么DC-DC上管使用的是NMOS管而不是PMOS管吧！ 首先，让我们先来复习一下 DC-DC 的概念。 DC-DC，全称直流 - 直流转换器，是一种将直流电压转换为另一直流电压的电源电路。它可以分为升压和降压两种类型。而我们今天要讲的 NMOS，就是 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。

之前发表了一篇《为什么DC-DC 上管用 NMOS？》有个网友提出，为什么NMOS可以作为一个好的开关但却不是合适的通过呢？借此微碧今天微碧想对这个问题展开更深入的探讨，一个小小的MOS管，将它分为PMOS和NMOS两种沟道类型，到底有怎样不同的作用？ 首先我们看下它们的导通特性： NMOS：当栅极电压（Vgs）大于某一阈值电压时，通道中的电子会形成导通通道，允许电流从源极到漏极流动。这使得NMOS适合用于源极接地（低端驱动）的情况。只要栅极电压足

当我们使用 MOS 管时，有一个现象常常会让我们头疼，那就是米勒效应。 首先，让我们先回顾一下 MOS 管的开通过程。 MOS 管的开启过程可以分为三个阶段：截止区、导通区、饱和区。 在截止区，MOS 管的栅源电压为零，此时 MOS 管处于关断状态。随着栅源电压的增加，当栅源电压达到门极开启电压（Vg(th)）时，MOS 管进入导通区。 在导通区，MOS 管的栅源电压继续增加，直到达到饱和电压（Vs(th)），此时 MOS 管进入饱和区。 然而，在实际应用中，当我们

什么是MOS管亚阈值电压？ 我们知道经常会提及MOS管的阈值电压，那亚阈值电压大家是否熟知呢？简单来说，栅极电压低于阈值电压,半导体表面仅仅只是‘弱反型’时，相应的漏极电流称为亚阈值电流。这里提及一下: （弱反型，半导体表面的少数载流子浓度大于等于表面的多数载流子浓度，但远小于体内的多数载流子浓度时的状态。） 在亚阈值区，对于漏极电流起决定作用的是载流子扩散而不是漂移。漏极电流可以用 推导均匀掺杂基区的双极晶体管

当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时，我们可以考虑一个简单的情况：使用MOSFET来控制一个LED的开关。 情景：LED开关控制 当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时，我们可以考虑一个简单的情况：使用MOSFET来控制一个LED的开关。 情景：LED开关控制 假设我们有一个电路，需要使用MOSFET来控制一个LED的开关。LED需要从电源VCC（例如5V）接通和断开。 高端驱动情况（使用NMOS）： 在这种情况下，我们希望当控制信号为高电平时，LED接通，即LED亮起。 我们可

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本文从栅极浮空的现象、影响以及它的解决方法这三个方面进行讲解。 关于栅极浮空的概念 栅极浮空，顾名思义，就是 MOS 管的栅极不与任何电极相连，处于悬浮状态。在这种状态下，栅极电压为零，MOS 管的导通特性会发生变化（当 Vg（栅极电压）输入高电平时，N 管会导通，使得 P 管的栅极为低，从而让 P 管的 DS（漏源）导通。相反，当 Vg 为高阻态时，Vout（输出电压）输入不定，检查发现 P 管的栅极电压变化不定） 但是，并非所有 MOS 管的栅极都

在单片机I/O口驱动的选择中，为什么一般都选用三极管而不是MOS管？ 首先，我们先看看这两者的工作原理和特性。 三极管 三极管是一种双极型晶体管，具有三个控制电极：基极、发射极和集电极。 其中基极和发射极这两者之间的电流控制着集电极和发射极之间的电流。三极管的控制电路比较简单，只需要通过一个基极电流就可以控制集电极电流。 优点：电流放大能力强，输入电阻高，输出电阻低，可以承受较高的电压和电流。 （本文图片部分来源

芯片制造|光刻技术与基本流程 MOSFET制造工艺跟其他集成电路的芯片制造工艺大同小异、在晶圆制造的基础上、首先那就是要有人们常说的光。 那么你知道这无形的光是如何制作出一枚精致小巧的芯片吗？而它又是如何通过这光刻机制作出来的？ 这次让我们来讲解一下。在芯片制造前道工艺中重要环节——光刻技术。 首先我们需要知道半导体制造的三大核心工艺是光刻、等离子刻蚀和气相薄膜沉积，其中光刻的主要作用是将印制于掩膜板上的电路图

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微碧半导体受邀参加2023慕尼黑上海电子展，这是一场电子行业的盛会，也是一个展示未来科技的创新平台。展会将于2023年7月11日至13日在国家会展中心（上海）举办，微碧半导体将在展会上展示其最新的MOS管产品，并诚邀全球各地对MOS管感兴趣的客户一同前往展会洽谈合作。 作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体成立于2003年，专注于MOSFET晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等业务。公司以股份制企业形式运营，台湾控股65%，大陆持股

如何选择能承受15V电压的MOS管？ MOS管是一种常见的场效应管，其栅极电压的大小对其工作状态有着重要的影响。在工程实践中，有一些应用需要将MOS管的栅极电压加到较高的电压，比如15V。那么，什么样的MOS管栅极能承受15V电压呢？本文将围绕这个问题展开讨论，并提出使用微碧半导体（VBsemi）的MOS管的建议。 首先，我们需要了解MOS管的结构和工作原理。MOS管由源极、漏极和栅极组成，其中栅极与漏极之间的电场通过栅极电压控制漏极电流。在正常

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LMV331IDCKR通用低压比较器是双路和四路比较器，低压（2.7 V 至 5.5 V）版本，工作电压为 5 V 至 30 V。 LMV331IDCKR是最具成本效益的解决方案，适用于低电压运行、低功耗和节省空间是便携式消费类产品电路设计的主要规格的应用。这些器件提供的规格满足或超过了熟悉的 LM339 和 LM393 器件，而电源电流只是其一小部分。 LMV331IDCKR主要特性： 2.7V 和 5V 性能 低电源电流 LMV331 130µA 典型值 LMV393 210µA 典型值 LMV339 410 µA 典型值 输入共模电压范围包括接地 低输出

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你说的这个应该是： 反向电压：V 正向电压下降：1. 康复时间： 正向接连电流：2A 最大浪涌电流： 反向电流IR：5uA 装置风格：SMD/SMT 封装/箱体：SMB 最大工作温度：+C 最小工作温度：- 快速康复二极管这些你能够问一下合通泰电子科技，做得比较有名一点，这种如同商场假货也不少，都是用什么杂品牌从头打成ON的，注意一点就好了。 on安森美:电子元器件ON是什么牌子，ONSemi.，中文名称是安森美。 on安森美半导体(ONSemiconctor，美国纳斯达克上市代号：ON

on代理商的生长恰是靠着于工业前沿不断地研制，一次次工业进级时期的枢纽立异和持之以恒地改进制造工艺、产品换代进级，换来了如今在半导体工业界如斯枢纽的人物。on代理商的创立与新中国建立时刻相仿，在大跃进时期发明晰集成电路，在改革开放初期完成了第一代DSP芯片的开发，于90年代前后在微机电体系领域取得打破，发明晰革命性产品数字微镜DMD。on代理商一般会根据使用需求定义开发新的产品——设计、工艺、使用构成了一个产品定义

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on安森美的可调体系与运用的范畴，在一开始用的便是较多的，通过直流方法来到达，跟着沟通调速技术特别是电力电子技术和控制器的开展，沟通变频技术获得了广泛的运用，变频器和沟通电机浸透渗出到本来直流调速体系运用的绝大多数范畴。近几年来，因为无刷直流电机体积小、重量轻和高效节能等长处的日益凸起，on安森美在中小功率的沟通平台变频体系正逐渐被无刷直流调速体系所替代，特别是在纺织机械、印刷机械等本来变频体系运用较

电源/电池制作设备、电源/电池检验系统、电源检验治具、on安森美代理芯片的检验外表、在兼容设备、灌胶设备电源、点胶设备、老化检验设备、电子负载等;密封硅胶、灌封胶、导热硅胶、绝缘套管、散热硅胶、磁性材料等。电源相关软件：监控系统、辅助设计软件、电源概括解决方案、电源检验服务、安规认证及其它电源管理相关软件等，电源设备工程及用具等。家用电器如自动洗衣机，CD唱机等；军事运用如潜艇，军舰上；还有大型同步电机的

on代理商正在使用前首先检查其表面有没有较着的损坏，如引线断、开裂、烧焦等征象，其次，用万用表测量它的阻值能否取标称值分歧若阻值曾经改动，间接使用会使电路事情正常。使用时应留意ic芯片的额定功率战事情电压能否满意想象恳求，假设实践使用功率逾越ic芯片器的额定功率，ic芯片器会发烧损坏。针对常规ic芯片产品正在某些特别情况使用时会呈现阻值变同、以至收效等没有良结果的征象，厂商们应当怎样防备呢? 　　建议厂商应只管阻

ic芯片是各类电子配备中比不成少的一个配备部件,起到非常年夜的感化.新手工的前进正在减少配备尺度的同时,也减年夜了分坐元件制造商开辟梦想机能器件的压力。on安森美是跟着新手工的呈现,以下机能,智能化,下分断,可通讯,小型化,模块化,节能化为次要特性的新一代智能ic芯片将成为商场支流产物,中下端电器商场分额也将进一步扩展.对自立立异才干的企业来讲,既是转型晋级的机缘,也是商场的动力。 ic芯片的展开除掌握好本身的展开状况也要得到

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正在on代理商构造中接收那些下机能正在on代理商设置，系统能效到达97％典范值。该设想包含硬件过流庇护、硬件过压庇护战帮助配电系统非断绝，可为PFC板战把握板上的每一个电路供电，而无需其他曲流源。灵敏的把握接心可适应各类把握板。咱们可经由进程传感手工去获得有闭四周状况的疑息，从而使咱们的相同平常生活获益：进步使命服从，加强安静性，或地道出于文娱目标。on代理商便是多么一种传感手工，使用激光去测量到物体的间隔，并

为了前进on安森美的系统与天性效率，人们研讨了差别的拓宽结构，包含传统PFC、单背无桥战图腾柱无桥PFC。此中，因为削减了元器材数目，失落了导通耗费，且能效下，因此广受欢迎。传统的硅（很易正在图腾柱PFC拓扑中的持续导通形式下事情，因为体两极管的反背规复特征很好。碳化硅接收齐新的手工，比on安森美具有更胜一筹的开闭机能、极小的反背规复时间、低导通电阻战更下的可靠性。别的，松散的芯片尺度确保了器材的低电容战低门极电