做机找到电路后需要做电源,即使找到的图有电源电路有高压参数,但做出来的B+电压可能与图上的不同,这是什么原因呢?
B+与机子的总电流、扼流圈直流电阻、电源内阻、整流管降压及内阻、滤波电容容量都有一定关系,所以,即使用图中的高压整流滤波后B+也不一定符合图中的数值。因为影响B+的因素多,所以B+没有严格准确的计算公式,只有经验公式。下面谈谈如何选择牛的交流高压。
以常见的双高压+电子管全波整流(如5Z3P 6Z4一类)+限流电阻+扼流圈π型电容滤波+电容并联泄流电阻为例:
交流高压V~经过管子全波整流后得到的脉动电压平均值是0。9*V~,接上滤波电路及负载后,整流管后的电压V=(0。9*V~)*K,(系数K=1.1~1.4);
关键问题是K是变化的,与总电流、扼流圈直流电阻、电源内阻、整流管降压及内阻、滤波电容容量等因素有关,只能凭经验选择。(晶体管整流K要取高一点)
如果机子的总电流是电源牛高压设计电流的75%左右,K取1.2;总电流占30%左右,K取1.34。这是因为总电流越大,在电源内阻上降压越大,整流管后的电压V就越小。
举个EL34单端实例:
我们找了一个EL34电路,电路设计的B+是315V,放大电路部份(不含电源部份)的总电流是155ma,需要牛的高压是多少呢?电源部份电路用常见的5Z3P全波整流+10欧限流电阻+扼流圈(直流电阻100欧)+π型电容滤波+电容并联泄流电阻。泄流电阻上的电流按1ma算,则机子的总电流为156ma,在限流电阻及扼流圈上的电压降=156*110/1000=17.16伏,整流管后的电压V=315+17.16=332.16伏。
估计一下灯丝功率+电路负载上的功率并留点余量,决定选择150W牛/设计的交流高压电流200ma。
总电流占交流高压设计电流的量=156/200=78%,则K取1.2;
由V=(0。9*V~)*K得到,V~=V/(0.9*1.2)=332.16/0.9*1.2=307.5伏,取V~=310伏。
所以,交流高压是双310伏/200ma。如果用此牛做小机,如6P14一类(总电流90ma),则整流后的V要高得多,K取1。3左右。
由于是经验公式,牛的内阻各不相同,计算出来的高压用牛做出来后的高压是有少许出入,这就需要用改变限流电阻泄流电阻大小等方法来微调。
经验公式,仅供参考。
B+与机子的总电流、扼流圈直流电阻、电源内阻、整流管降压及内阻、滤波电容容量都有一定关系,所以,即使用图中的高压整流滤波后B+也不一定符合图中的数值。因为影响B+的因素多,所以B+没有严格准确的计算公式,只有经验公式。下面谈谈如何选择牛的交流高压。
以常见的双高压+电子管全波整流(如5Z3P 6Z4一类)+限流电阻+扼流圈π型电容滤波+电容并联泄流电阻为例:
交流高压V~经过管子全波整流后得到的脉动电压平均值是0。9*V~,接上滤波电路及负载后,整流管后的电压V=(0。9*V~)*K,(系数K=1.1~1.4);
关键问题是K是变化的,与总电流、扼流圈直流电阻、电源内阻、整流管降压及内阻、滤波电容容量等因素有关,只能凭经验选择。(晶体管整流K要取高一点)
如果机子的总电流是电源牛高压设计电流的75%左右,K取1.2;总电流占30%左右,K取1.34。这是因为总电流越大,在电源内阻上降压越大,整流管后的电压V就越小。
举个EL34单端实例:
我们找了一个EL34电路,电路设计的B+是315V,放大电路部份(不含电源部份)的总电流是155ma,需要牛的高压是多少呢?电源部份电路用常见的5Z3P全波整流+10欧限流电阻+扼流圈(直流电阻100欧)+π型电容滤波+电容并联泄流电阻。泄流电阻上的电流按1ma算,则机子的总电流为156ma,在限流电阻及扼流圈上的电压降=156*110/1000=17.16伏,整流管后的电压V=315+17.16=332.16伏。
估计一下灯丝功率+电路负载上的功率并留点余量,决定选择150W牛/设计的交流高压电流200ma。
总电流占交流高压设计电流的量=156/200=78%,则K取1.2;
由V=(0。9*V~)*K得到,V~=V/(0.9*1.2)=332.16/0.9*1.2=307.5伏,取V~=310伏。
所以,交流高压是双310伏/200ma。如果用此牛做小机,如6P14一类(总电流90ma),则整流后的V要高得多,K取1。3左右。
由于是经验公式,牛的内阻各不相同,计算出来的高压用牛做出来后的高压是有少许出入,这就需要用改变限流电阻泄流电阻大小等方法来微调。
经验公式,仅供参考。