脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者.1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点.(来自英语Semiconductor Opening Switch).基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性.

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