IPL60R125P7：N通道晶体管 表面贴装型 600V PG-VSON-4
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A（Tc）
功率耗散 111W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-VSON-4
封装/外壳 4-PowerTSFN
IRFP4668PBF：通孔 N通道晶体管 200V TO-247AC
FET 类型：N通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）
功率耗散：520W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AC
封装/外壳：TO-247-3
BSZ096N10LS5：N通道晶体管 表面贴装型 100V 40A
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）
功率耗散（最大值） 69W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
晶体管：IPL60R125P7，IRFP4668PBF，BSZ096N10LS5 [N通道]
型号：IPL60R125P7，IRFP4668PBF，BSZ096N10LS5（供求）
封装：4-PowerTSFN，TO-247-3，8-PowerTDFN
类型：N通道晶体管
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！