MOS管工作原理
MOS 晶体管的工作状态主要可以分为四个：开通过程、导通状态、关断过程和截止状态。
在开通过程中，MOS 晶体管从截止状态转变为导通状态，这个过程中会产生开关损耗。在导通状态下，MOS 晶体管可以正常工作，这个状态下的损耗主要是导通损耗。在关断过程中，MOS 晶体管从导通状态转变为截止状态，这个过程中也会产生开关损耗。在截止状态下，MOS 晶体管不导电，只有极小的漏电流，这个状态下的损耗主要是截止损耗。
一般来说，在使用MOS型晶体管，只要将这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，就会发生损坏。
那MOS管是如何烧坏的？
　MOS损坏主要原因：过流——承受的电流超过其额定值，持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；　过压——承受的电压超过其额定值，源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电——受到静电放电的影响，导致结构损坏，静电击穿。
MOS 晶体管的开关原理：基于电压驱动
只要在 MOS 晶体管的栅极和源极之间施加一个适当的电压，就能使 MOS 晶体管从截止状态转变为导通状态。
这个电流通路的电阻被称为MOS 晶体管的内阻，也就是 MOS 晶体管的导通电阻。MOS 晶体管的内阻大小基本上决定了 MOS 晶体管能承受的最大导通电流。内阻越小，承受电流越大，内阻小的 MOS 晶体管发热量小。
现在我们来讲讲，日常中如何快速找到烧坏的问题点？
1. 观察故障现象：当设备出现故障时，可以观察 Mos 管的外观是否有烧坏的痕迹，例如发黑、裂纹等。
2. 测量 Mos 管的电压和电流：可以使用万用表或示波器等工具，测量 Mos 管的电压和电流，判断其是否超过额定值。
3. 检查电路板：可以使用放大镜或显微镜等工具，检查电路板上的线路和元件，判断是否有断路、短路等故障。
4. 检查散热系统：可以检查散热片、风扇等散热系统是否正常工作，判断是否有过热现象。
5. 模拟测试：可以模拟设备的工作状态，观察 Mos 管的工作情况，判断是否有设计缺陷。