2ED2103S06F：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
输入类型：非反相
高压侧电压：650 V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC
2ED2184S06F：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
驱动配置：半桥
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出：2.5A，2.5A
输入类型：非反相
高压侧电压：675 V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC
元器件：2ED2103S06F [半桥 栅极驱动器] 2ED2184S06F
型号：2ED2103S06F，2ED2184S06F（供求）
封装：8-SOIC
类型：栅极驱动器
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