英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 研发晶圆厂完成世界首台商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段，计划明年投入研发使用。

这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000，为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机，价值约 3.5 亿美元（IT之家备注：当前约 25.38 亿元人民币）。
就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。
英特尔表示 High-NA EUV 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，这意味着在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。
采用 High-NA EUV 光刻机，可以更精细的尺度制造生产半导体，继续推动摩尔定律。
英特尔计划从 2025 年的 18A 新技术验证节点开始，在先进芯片开发和制造中同时使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻机。
此外英特尔还计划购买下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻机，新机型晶圆吞吐量超过每小时 200 片。