低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量，同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
特性：
低开关损耗
对温度的依赖性更低
更快的恢复速度
快速开关性能
封装：TO-247、TO-220FM和TO-220ACP等
应用：
开关电源；UPS；太阳能逆变器；EV充电器
ROHM SiC肖特基势垒二极管型号推荐图片制造商零件编号描述可供货数量操作
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